Objetivo y caso de uso
Qué construirás: Comprobar que el diodo está polarizado en inversa y cuantificar su corriente de fuga (I_R) utilizando un multímetro.
Para qué sirve
- Verificar el estado de un diodo Schottky (1N5819) en aplicaciones de rectificación.
- Medir la corriente de fuga en circuitos de baja potencia para asegurar la eficiencia energética.
- Diagnosticar fallos en circuitos electrónicos que utilizan diodos como protección contra polarización inversa.
- Evaluar la integridad de componentes en prototipos de circuitos en protoboard.
Resultado esperado
- Medir una caída de tensión en R1 de aproximadamente 0.7 V, indicando que el diodo está en polarización inversa.
- Obtener un valor de corriente de fuga (I_R) menor a 1 µA, confirmando el buen estado del diodo.
- Registrar tensiones V_D en el diodo que no superen los 0.3 V en condiciones normales de polarización inversa.
- Comprobar que la resistencia R1 limita la corriente a valores seguros, evitando daños al diodo.
Público objetivo: Estudiantes de electrónica; Nivel: Básico
Arquitectura/flujo: Fuente +V → R1 en serie → nodo → D1 hacia GND (cátodo al nodo, ánodo a GND).
Objetivo y plan
- Objetivo: Comprobar que el diodo está polarizado en inversa y cuantificar su corriente de fuga (I_R).
- Topología (resumen): Fuente +V → R1 en serie → nodo → D1 hacia GND (cátodo al nodo, ánodo a GND).
- Mediciones (resumen): Medir V_R en R1 y V_D en D1 con DMM; calcular I_R = V_R / R1. Opcional: medir I_R en serie con el DMM en µA.
Materiales
- 1× Diodo Schottky D1 (1N5819 o similar)
- 1× Resistencia R1 de 100 kΩ, 1/4 W (limitadora)
- 1× Batería de 9 V con portapila (o fuente DC 5–12 V)
- 1× Protoboard
- 6× Cables de puente
- 1× Multímetro digital (con rangos VDC y µA)
Guía de conexionado
- Coloca R1 entre el positivo de la batería (+V) y un nodo libre de la protoboard.
- Conecta el cátodo de D1 (extremo con la banda) al mismo nodo que sale de R1.
- Conecta el ánodo de D1 a GND (negativo de la batería). Con esto, D1 queda en polarización inversa.
- Conecta el negativo de la batería a la barra de GND de la protoboard y el positivo a la barra de +V.
- Abre el multímetro en modo voltios DC para las tensiones y, si usas el método opcional, en µA DC para la corriente.
- Abreviaturas de medida usadas en el esquema y cómo medirlas:
- V_R+ y V_R−: Caída de tensión en R1. Coloca la punta roja del DMM en V_R+ y la negra en V_R−.
- V_D+ y V_D−: Tensión inversa en el diodo D1. Punta roja en V_D+ y negra en V_D−.
- I_R: Corriente de fuga del diodo. Se obtiene como I_R = V_R / R1; opcionalmente puede medirse en serie intercalando el DMM entre el nodo de R1 y el cátodo de D1 (modo µA).
Esquemático
+V (9 V)
│
├─●V_R+
│
┌┴┐
│ │ R1 = 100 kΩ (limitador)
│ │
└┬┘
│
├─●V_R−
│
├─●V_D+
│
┌┴┐
│ │ D1 = 1N5819 (cátodo arriba)
│ │
└┬┘
│
├─●V_D−
│
GND
Mediciones y pruebas
-
Verificación de polarización inversa:
- Con el DMM en VDC, mide V_D entre V_D+ (roja) y V_D− (negra). En inversa, V_D debería ser cercana a +V menos la caída en R1; típicamente varios voltios positivos.
- Si V_D ≈ 0.2–0.7 V, el diodo está en directa (orientación invertida). Revisa que el cátodo (banda) esté hacia R1.
-
Cálculo de corriente de fuga (método por resistor):
- Mide V_R entre V_R+ (roja) y V_R− (negra).
- Calcula I_R = V_R / R1. Ejemplo: si V_R = 0.85 V y R1 = 100 kΩ, entonces I_R ≈ 8.5 µA.
- Interpreta: cuanto menor sea V_R, menor es I_R y menor la fuga del diodo.
-
Medición directa de corriente (opcional):
- Apaga la alimentación. Desconecta el cátodo de D1 del nodo y pon el DMM en serie en modo µA entre ese nodo y el cátodo de D1.
- Enciende de nuevo. Lee I_R en el DMM. Debería coincidir aproximadamente con V_R / R1.
- Apaga y vuelve a dejar el circuito como el esquema antes de seguir.
-
Comprobaciones adicionales:
- Cambia la fuente entre 5 V y 12 V y observa cómo varían V_R e I_R: la fuga aumenta con la tensión inversa.
- Calienta ligeramente el diodo con la mano: la fuga aumenta con la temperatura; anota la variación de I_R.
Resultados esperados
- Con D1 = 1N5819 (Schottky) a 25 °C y +V = 9 V:
- V_D: ~7–9 V (dependiendo de la fuga).
- I_R: típicamente 1–50 µA. Si I_R > 100 µA a 9 V, el diodo podría estar degradado.
- Con un diodo de señal de silicio (1N4148), la fuga puede ser tan baja que V_R < 0.05 V e I_R < 0.5 µA; puede quedar por debajo de la resolución del DMM en algunos rangos.
Errores comunes
- Invertir la orientación de D1: verás ~0.2–0.7 V en V_D y una corriente alta limitada por R1 (no es fuga).
- Usar R1 demasiado baja: eleva innecesariamente la corriente si el diodo queda en directa por error.
- Medir mal las referencias: invertir las puntas al medir V_R o V_D invierte el signo e induce a confusión.
- No esperar a que la lectura se estabilice: la fuga puede tardar unos segundos en estabilizarse, especialmente si la temperatura cambia.
Seguridad
- Trabajas con baja tensión, pero evita cortocircuitar la batería.
- Apaga la alimentación antes de reconfigurar conexiones o poner el DMM en serie.
- No toques simultáneamente los puntos de medida: el cuerpo puede alterar lecturas muy pequeñas.
Mejoras y extensiones
- Compara dos diodos (Schottky vs 1N4148) usando el mismo R1 y +V.
- Realiza una curva I_R vs +V variando la tensión de 3 V a 12 V.
- Registra I_R a distintas temperaturas (ambiente, mano, aire frío) para ver su dependencia térmica.
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